在二氧化硅为碳还原的电热过程中，根据还原剂的数量以及温度条件、加热速度等，可能得到SiC或金属硅，其总的反应方程式分别是：

        (1) SiO2+3C = SiC+2CO

        (2) SiO2 + 2C =Si+2CO

        式（1）相应于碳化硅电阻炉的情况，式（2）相当于冶炼金属硅的电弧炉的情况。另外，硅的低价氧化物一氧化硅SiO的存在已是确定的事实，其颜色由金黄色到褐色，具有立方晶格，晶格常数a=5.6A，其特点是挥发性比SiO2及都高得多。

       这就提出了一个问题，即在碳化硅冶炼炉中SiO2与C之间的反应里程如何，首先形成的是Si、还是SiO还是SiC呢？
 

 

        从上表的数字可知，从热力学上看，在Si02与C的几种反应中，反应(2)是最可能发生的，它在1498K(1225°C)就可能发生了。但是可能性并不等于现实性。根据化学动力学原理，化学反应的必要条件之一是反应物的分子之间要互相碰撞，故毎一基元反应可以用同时碰撞而发生反应的分子数来分类，多数是单分子反应和双分子反应，三分子反应很少见，四分子反应几乎不可能发生。所以可以推测需要因分子碰撞的反应(2)是很难直接发生的，它不是基元反应，而是一个复杂反应，应有若干中间阶段。 多次的观察及专门的试验证实，在常压下进行Si02的还原时 有气态的sio中间产物生成。

       例如，日本昭和电工株式会社设计的立方碳化娃制造炉就是 首先通过挂砂和焦炭的反应制得气态的一氧化桂，再把这种气体通入另一个装有焦炭的反应室来制取碳化娃（日本公开特许公报 昭54-136600号）。

      下面的实验可以认为是对通过sio中间产物形成sic的反应机理的一个佐证。 将一根直径l8毫米、含C99.5%、容重1-55克/厘米3的炭棒 埋置在由二氧化娃和碳质材料所组成的配合料中进行桂化，受热硅化后炭棒变成了碳化桂棒，sic含量为85%, 但制品的大小仍旧未变，其容重增大为2-35克/厘米3。

 

       由上述计算可见，按通过sio作为中间产物形成sic的反应 机理算得的制品密度与实际测定得到的结果很好地相符。

 

        值得指出的是，上述实验结果选自苏联卡民采夫(M•B•KA- MEUEB) 的著名著作《人造磨塚材料》，他本想以此作为按方 程sios+ 3c-sic+ 2co—步反应完成的机理的证明，可是他的 计算方法有错误，这个实例反倒成了否定这一机理的证据。 综上所述，在sic冶炼炉中存在sio作为中间产物是十分可 能的，但sio + 2c—sic +co是一个三分子反应，它是一个基兀 反应还是一个需进一步分解的复杂反应还有待深入研究。