由于碳化硅陶瓷结合材料的不同，其性能、使用条件及寿命有很大区别，现将各种类型的碳化硅陶瓷材料分别介绍如下：

不同结合相的碳化硅陶瓷 

　　 粘土结合相制品，是最普遍，价格最低、工艺最简单的一种。目前，在我国陶瓷行业中，粘土结合碳化硅窑具有较大的用量。 

　　 由于粘土中的铝、氧和碳化硅反应，在1120～1150℃进行，制品的耐火度低、抗氧化性能不强，应用领域受到一定限制。制品中粘土量一般不超过15％，配料中的细粉量不宜过大，否则易氧化。碳化硅含量在50％～93％间。一般用来制造匣钵、垫饼和隔焰板等。 

　 在碳化硅中加入10％左右的 SiO2（微粉），借助烧成过程在碳化硅颗粒表面氧化生成 SiO2薄膜，将碳化硅颗粒结合起来。因其原料纯度高，杂质量少，因此它的高温性能比粘土结合制品优良的多，但该制品的性能也受到成型工艺的影响。可在1200℃以上高氧气氛中使用。一般用来制作棚板和支柱等。 

    以莫来石（５％～８％）和碳化硅为原料，以纸浆或糊精作为结合剂，成型后经１３８０℃烧成，使莫来石与碳化硅牢固结合。该制品比粘土结合碳化硅、 SiO2结合碳化硅制品的性能优良，抗热震、抗氧化性能好。目前，在我国陶瓷窑炉中应用逐渐增多。 

    在碳化硅中加入金属硅粉和碳（石墨、碳黑等），在1450℃埋碳烧成，使硅粉与碳反应生成低温型β－ SiC ，将原碳化硅颗粒结合起来。另一种方法：由碳与金属硅直接反应生成碳化硅制品，即用碳或碳与碳化硅成型，埋硅烧成。两方法均可制成性能良好的碳化硅制品。由于制品中一般含有游离硅8％～15％及少量游离碳，使其使用温度低于1400℃以下。其导热系数、耐冲击性良好，但强度、硬度、耐腐蚀性差。反应烧结碳化硅制品在烧结前后尺寸几乎不变，因此，成型后可加工成任意形状和尺寸，尤适合大规模、复杂形状的产品。 

　氮化硅的高温性能优良，可以用作碳化硅制品的结合剂，氮化硅结合碳化硅制品是近20年来发展起来的一种高科技碳化硅陶瓷材料。它的制作工艺是：在碳化硅颗粒混合物中，加入15％～25％的细硅粉，在氮化炉中通入高纯氮气，以一定的温度和压力制度氮化反应烧结，硅和氮生成α－ Si3N4和β－ Si3N4，把坚硬的碳化硅结合起来，形成致密的网络结构。因此，氮化硅结合碳化硅制品具有良好的物化性能、高温性能，使用温度达1500℃，在磨具、冶金和日用、电子陶瓷等行业得到广泛应用。作为窑具有着广阔前景。 

    它的性能接近氮化硅结合碳化硅制品，其抗氧化性能更优异。生产方法是：将碳化硅、二氧化硅、粘土以及添加物制成生坯，埋碳或通入氮气在不同温度和压力制度下烧成，反应生成的板桥状氮氧化硅分布于碳化硅颗粒周围，将其紧密结合，使碳化硅保持优良的抗氧化能力。　　

 

   经净化处理的碳化硅微粉和超微粉，混入一定量的结合剂，成型后在2200～2400℃烧成。碳化硅颗粒之间再结晶，而直接结合，碳化硅含量达99％。较以上各种结合相碳化硅制品，重结晶碳化硅制品，具有更高的热态机械强度、导热率、耐热震性及抗氧化性，是一种优质的碳化硅陶瓷。美国于30年代末期研制成功重结晶碳化硅制品。几十年来，美、德、英都有大量生产。我国在此方面的研究亦取得很大进展，已进行批量生产。 

    渗硅法碳化硅制品是在重结晶碳化硅制品基础上进行液相或气相渗硅，使重结晶碳化硅的气孔由硅填充，生成更致密的SiSiC，性能更加优良。目前我国正进行SiSiC工艺和性能方面的研究，已有小批量生产。 

   总之，碳化硅陶瓷优异的性能，已为人们所认识，得到广泛应用。目前，高性能的碳化硅陶瓷还处于研制开发阶段，从发挥碳化硅的优良性能，降低成本的目的出发，充分掌握材料组成、显微结构和性能之间的关系，是日后进行生产的保证，随着研究不断深入，其应用领域还将逐步拓展，市场前景极其广阔。

 

  SiC 陶瓷在石油、化工、微电子、汽车、航天、航空、造纸、激光、矿业及原子能等工业领域获得了广泛的应用。